висока чутливість і надійність у роботі тощо. Це зумовило їх широке застосування в різноманітних автоматичних пристроях і приладах.

? 1. Який принцип дії терморезисторних пристроїв? 2. Накресліть схему використання терморезистора в установках для регулювання температури. 3. Накресліть схему використання фоторезистора в автоматичних пристроях.

§ 83. Електронно-дірковий перехід. Напівпровідниковий діод

Найширше застосування напівпровідники знаходять у приладах для випрямлення змінного струму і підсилення електричних сигналів. В основі дії цих напівпровідникових приладів лежать процеси, які відбуваються в місцях контакту різних напівпровідників між собою і напівпровідників з металами.

Розглянемо коротко фізичні процеси в таких контактах. Пригадаємо, що за характером своєї провідності напівпровідники можуть бути електронними (n-тип) і дірковими (р-тип). У напівпровідникаx n-типу основними носіями заряду є електрони, а в напівпровідниках р-типу — дірки. Приведемо до зіткнення (контакту) два напівпровідники з різними типами провідності (мал. 182). Внаслідок теплового руху електрони з n-області дифундуватимуть у р-область (і там рекомбінуватимуть з дірками), а дірки з р-області — в n-область (і рекомбінуватимуть з електронами). Це приводить до збіднення електронами n-напівпровідника поблизу межі поділу і до утворення надлишкового позитивного заряду в л-напівпровіднику. Дифузія дірок з р-напів-провідника спричиняє утворення в р-області поблизу межі поділу надлишкового негативного заряду. Таким чином, виникає подвійний електричний шар з контактною різницею потенціалів, яка перешкоджає переходу електронів у р-область і дірок в n-область. З часом взаємне проникнення дірок і електронів зменшується і врешті-решт встановлюється така різниця потенціалів на межі поділу р—n-областей, за якої настає рівновага.

Оскільки внаслідок дифузії електронів у р-область і дірок у n-область у подвійному шарі відбувається рекомбінація носіїв струму, в рівноважному стані в шарі поблизу межі поділу з боку n-напівпровідника концентрація електронів менша, ніж у решті цього напівпровідника, а в прилеглому до межі шарі з боку напівпровідника р-типу концентрація дірок менша, ніж в іншій його частині. Контактна різниця потенціалів між напівпровідниками з різним механізмом провідності стано