вить кілька десятих вольта. Електрони і дірки мають енергію теплового руху, достатню для подолання цієї різниці потенціалів лише за температур близько кількох тисяч градусів, а за звичайних температур електрони і дірки не можуть проникнути в подвійний шар. Тому подвійний шар на межі напівпровідників з різним механізмом провідності виявляється збідненим на носії струму і має підвищений опір. Таким чином, поблизу межі поділу напівпровідників л-типу і р-типу виникає шар підвищеного опору, який називається елек-тронно-дірковим, або р — п-пере-ходом.

Особливістю р—л-переходу є те, що його опір залежить від значення і напряму напруженості зовнішнього електричного поля, прикладеного до цього переходу. Припустимо, що «-напівпровідник приєднано до негативного полюса джерела напруги, а напівпровідник р-типу — до позитивного полюса (мал. 183, а). Під дією електричного поля електрони в «-напівпровіднику і дірки в р-напівпровіднику переміщаються назустріч одні одним до межі поділу напівпровідників (межі р—n-переходу). Внаслідок цього концентрація носіїв струму в області підвищеного опору збільшується, що веде до зменшення опору р—n-переходу. Зі збільшенням напруги опір р—n-переходу зменшується. Цей напрям зовнішнього електричного поля прийнято називати пропускним.

Якщо ж змінити полярність прикладеної до напівпровідників напруги, то електрони в л-напівпровіднику і дірки в р-напівпровіднику рухатимуться від межі поділу в протилежні боки (мал. 183, б). Внаслідок цього розмір подвійного шару, збідненого на носії струму — електрони й дірки, збільшуватиметься і його опір зростає. Опір буде тим більший, чим більша напруга прикладена до р—n-переходу. За досить великої напруги цього напряму подвійний шар є практично ізолятором, в якому відсутні рухомі носії струму. Цей напрям зовнішнього електричного поля називають запірним: у цьому напрямі електричний струм практично не проходить через контакт напівпровідників.